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運(yùn)用在半導(dǎo)體行業(yè)的手動(dòng)無損（渦流法）電阻檢測(cè)技術(shù)
半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,決定了測(cè)試技術(shù)需要不斷的提高與創(chuàng)新。傳統(tǒng)的四探針法表現(xiàn)出很多不足,這一現(xiàn)實(shí)決定了必須尋求其他方法以彌補(bǔ)這些不足。本文對(duì)渦流法用于半導(dǎo)體測(cè)試方面進(jìn)行了研究。本次設(shè)計(jì)采用實(shí)驗(yàn)和計(jì)算機(jī)數(shù)值模擬相結(jié)合的方法,對(duì)電渦流傳感器的性能進(jìn)行了計(jì)算機(jī)輔助分析。通過研究了激勵(lì)頻率,檢測(cè)距離以及線圈尺寸等參數(shù)對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響,得到了600KHz的激勵(lì)頻率,0.05mm的檢測(cè)距離,3.3mm的線圈內(nèi)徑和5mm的外徑等線圈參數(shù)；
只需觸摸方便的探頭即可進(jìn)行電阻測(cè)量。
在電阻率/薄層電阻測(cè)量模式之間輕松切換
使用 JOG 撥盤輕松設(shè)置測(cè)量條件
連接到連接器的電阻測(cè)量探頭是可更換的，因此它支持廣泛的電阻范圍。
（電阻探頭：最多可使用2+PN判斷探頭）
半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)（硅、多晶硅、SiC等）
新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬、ITO等）
硅-基于外延、離子注入的樣品
化合物半導(dǎo)體相關(guān)（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）
其他（*請(qǐng)聯(lián)系我們）
無論樣品大小和形狀如何都可以測(cè)量（但是，它大于 20 mmφ 并具有平坦的表面）
[電阻率] 1 m 至 200 Ω ? cm
(* 所有探頭類型的總范圍/厚度 500 um)
[薄層電阻] 10 m 至 3 k Ω / sq
(* 所有探頭類型的總范圍)
* 有關(guān)每種探頭類型的測(cè)量范圍，請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。
(1) 低：0.01 至 0.5 Ω / □ (0.001 至
0.05 Ω -cm) (2) 中：0.5 至 10 Ω / □ (0.05 至 0.5 Ω-cm)
(3 ) ) 高：10 至 1000 Ω / □ ( 0.5 to 60Ω-cm)
(4) S-High: 1000 to 3000Ω/□ (60 to 200Ω-cm)
(5) Solar Wafer: 5 to 500Ω/□ (0. 2 to 15Ω-cm)
